IRFP4668PBF N-Channel MOSFET IC 200V 130A 520W Электронный IC чип
IRFP4668PBF
,N-канальный MOSFET IC
,Обломок MOSFET электронный IC
Infineon IRFP4668PBF N-Channel MOSFET - высокая мощность и эффективность
Infineon IRFP4668PBF - это мощный N-Channel MOSFET, предназначенный для обеспечения отличной производительности и эффективности в различных приложениях.Он относится к серии HEXFET® и подходит для использования в качестве одного FET в схемах.. С номиналом напряжения от источника до источника (Vdss) 200 В, этот MOSFET может обрабатывать высокие уровни напряжения, что делает его подходящим для требовательных приложений.Он имеет непрерывный отводный ток (Id) 130A при 25°C (с температурой корпуса в качестве отсчета), что позволяет обеспечить мощные возможности управления мощностью.
IRFP4668PBF N-Channel MOSFET от Infineon - прочный и высокопроизводительный транзистор
IRFP4668PBF MOSFET имеет низкое сопротивление включения (Rds On) 9,7 мОм при токе отвода (Id) 81 А и напряжении порта-источника (Vgs) 10 В.Это низкое сопротивление минимизирует потери энергии и повышает эффективность системы в целомРаботая с пороговым напряжением (Vgs ((th)) от 5V при Id 250μA, этот MOSFET требует напряжения привода до 10V для оптимальной производительности.имеет максимальное напряжение порта-источника (Vgs) ±30VIRFP4668PBF MOSFET имеет заряд шлюза (Qg) 241nC при напряжении шлюза-источника (Vgs) 10V.Этот параметр указывает на количество заряда, необходимое для эффективного включения и выключения MOSFET.
С входной емкостью (Ciss) 10,720 pF при напряжении отхода к источнику (Vds) 50 В, этот MOSFET обеспечивает подходящую емкостную нагрузку для приводящих цепей.Работают в широком диапазоне температур от -55°C до 175°C (TJ), IRFP4668PBF может выдерживать различные условия окружающей среды.N-канальный MOSFET Infineon IRFP4668PBF является активным продуктомБлагодаря высокой диссипации мощности 520 Вт (Tc), он может эффективно обрабатывать значительные уровни мощности.
Технические характеристики:
| Особенность | Спецификация |
|---|---|
| Производитель | Инфинион |
| Категория | Дискретные полупроводниковые изделия |
| Тип транзистора | FET, MOSFET |
| Серия | HEXFET |
| Пакет | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип FET | N-канал |
| Технологии | MOSFET (оксид металла) |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 200 В |
| Постоянный отводный ток (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) | 10 В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5В @ 250μA |
| Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (макс.) | ± 30 В |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50V |
| Функция FET | - |
| Рассеивание энергии (макс.) | 520 Вт (Tc) |
| Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Через дыру |
| Пакет / чемодан | ТО-247-3 |
| Номер базовой продукции | IRFP4668 |