обломок замены N-КАНАЛА 60V 115mA MOSFET 2N7002 2N7002-7-F
Модернизируйте ваше Hashboard с MOSFET 2N7002
С низким энергопотреблением MOSFET SMD для улучшенного представления Hashboard
Улучшите представление вашего Hashboard с MOSFET 2N7002, специально конструированное для увеличения функциональности применений 3.3V. С низкими воротами к напряжению тока порога источника 2.1V, этот MOSFET идеален для применений управления силы, позволяющ вы держать переключить низкий уровень использования максимума и энергии представления. Свое низкое сопротивление на-государства обеспечивает что остается энергией эффективной пока она дальше.
Положительная величина, своя версия SMD неимоверно удобна для небольших применений, с потенциалом вытерпеть непрерывно протекающий ток 200mA и пики 1A с максимальным порогом напряжения. Настолько почему ожидание? Модернизируйте ваше Hashboard сегодня и повысьте ваш минируя опыт с MOSFET 2N7002!
|
Категория продукта |
MOSFET |
|
Технология |
Si |
|
Устанавливать стиль |
SMD/SMT |
|
Пакет/случай |
SOT-23-3 |
|
Полярность транзистора |
N-канал |
|
Количество каналов |
1 канал |
|
Vds - пробивное напряжение Сток-источника |
60 v |
|
Id - непрерывное течение стока |
115 мам |
|
Rds на - сопротивлении Сток-источника |
1,2 ома |
|
Vgs - напряжение тока Ворот-источника |
- 20 V, + 20 V |
|
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника |
1 v |
|
Qg - обязанность ворот |
- |
|
Минимальная рабочая температура |
- 55 c |
|
Максимальная рабочая температура |
+ 150 c |
|
Pd - диссипация силы |
200 mW |
|
Режим канала |
Повышение |
|
Конфигурация |
Одиночный |
|
Высота |
1,2 mm |
|
Длина |
2,9 mm |
|
Продукт |
Сигнал MOSFET небольшой |
|
Серия |
2N7002 |
|
Тип транзистора |
1 N-канал |
|
Ширина |
1,3 mm |
|
Передний Transconductance - минута |
0,08 s |
|
Тип продукта |
MOSFET |
|
Часть # псевдонимы |
2N7002_NL |
|
Вес блока |
0,000282 oz |